三安光電：湖南三安主驅逆變器用SiC MOSFET已叠代到1200V 13mΩ
三安光電：湖南三安主驅逆變器用SiC MOSFET已叠代到1200V 13mΩ
日期：2025年8月21日 下午3:44
【財華社訊】8月21日，三安光電(600703.SH)在互動平台表示，湖南三安的主驅逆變器用SiC MOSFET已從1200V 16mΩ叠代到1200V 13mΩ。
(来源:财华社)
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