ROHM罗姆：碳化硅MOSFET裸芯片获丰田bZ5电动汽车牵引逆变器应用
IT之家 7月7日消息，日本半导体制造商罗姆ROHM在6月24日的新闻稿中指出，采用罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块已应用于丰田汽车公司面向中国市场的全新跨界纯电动汽车bZ5的牵引逆变器中。
bZ5的牵引逆变器搭载了由罗姆与中方合作伙伴正海集团的合资企业上海海姆希科半导体有限公司量产供货的功率模块，其中以SiC MOSFET为核心的罗姆功率解决方案为这款汽车的续航里程和性能提供了重要保障。
bZ5这款SUV低配版本续航能力可达550km，高配版本则实现了630km的续航表现。该车型采用前驱设计，电机最大功率200kW，目前已在陆续交付。
罗姆目前正加速推进SiC功率元器件的研发进程，计划于今年完成下一代（即第 5 代）SiC MOSFET的生产线建设，并提前布局第6代和第7 代产品的市场投放规划。
(来源：新浪科技)
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