三星下半年量产1c工艺LPDDR6内存:供货骁龙旗舰驱动AI终端

2025年06月09日,11时57分49秒 科技新知 阅读 5 views 次

快科技6月9日消息 ,据媒体报道,三星电子设备解决方案(DS)部门副董事长全永铉宣布,三星将于今年下半年采用第六代“1c DRAM”工艺,开始量产下一代LPDDR6内存,并计划向高通等科技巨头供货。

面对中国存储厂商长鑫存储(CXMT)已完成LPDDR5X内存开发并积极追赶的态势,三星明显加快了LPDDR6的自主研发步伐。业内观察认为,长鑫存储有望在2026年左右实现其产品的全面量产。

1c DRAM作为DRAM制造的第六代工艺节点,相比前代实现了更高的晶体管密度和更优的能效比。三星通过“设计变更”策略显著提升了1c DRAM的良品率(冷态达50%,热态达60%-70%),并计划在韩国华城工厂建设新产线扩大产能。

基于此工艺开发的LPDDR6内存,在带宽和功耗表现上均有显著提升,能够满足AI模型训练、移动终端高性能计算等对内存性能的严苛需求。

行业消息显示,高通的下一代旗舰芯片“骁龙8 Elite Gen2”将首发支持LPDDR6内存,并计划于今年的骁龙峰会上正式亮相。随着AI应用向终端设备下沉,LPDDR6的高带宽与高能效成为关键竞争力。

三星计划通过向高通等厂商供货,深化在智能手机、笔记本电脑及AI服务器市场的渗透,巩固其技术壁垒。此外,三星也将在HBM4等高端存储产品中部署1c DRAM技术,构建覆盖AI全场景的内存解决方案。

为支持LPDDR6及1c DRAM的量产,三星正积极推进华城工厂新生产线的建设,预计最早于今年年底完成。值得注意的是,三星打破了传统的开发顺序,正同步开发面向DDR(服务器/PC)和LPDDR(移动/低功耗)应用的1c DRAM产品,以加速其商业化进程。

(来源:新浪科技)



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