突破行业盲区，理想自研SiC芯片团队发现一类隐藏极深“问题芯片”
IT之家 6 月 5 日消息，据理想汽车“有个理想”公众号消息，2025 年 6 月 1-5 日，第 37 届 ISPSD 会议在日本熊本市举办，理想汽车在大会上发表了题为《Analysis on BVDSS Outlier Chips and Screening Technology for 1.2 kV Automotive SiC MOSFETs》（1200V 汽车级碳化硅 MOSFET 芯片击穿电压离群芯片的分析与筛选技术研究）的论文。
▲ 图源“有个理想”公众号，下同
据称，理想自研 SiC 芯片团队突破行业盲区，发现了一类隐藏极深“问题芯片”，这类芯片在严苛的工作环境下，会存在突然烧毁的风险。但是，这类芯片由于满足目前行业内现有的各种测试标准，是被当作合格产品流入下游领域的（包括汽车应用）。
IT之家从“有个理想”获悉，对于汽车动力系统来说，半导体芯片更是有着极其重要的地位。一般来说，这类芯片在需要处理高电压、大电流的功率应用中工作（如电机驱动），故其被称作为功率芯片。而碳化硅（SiC）芯片在 800V 高压系统上能耗优势明显，当一辆辆电动汽车在马路上疾驰，车内的 SiC 芯片们便默默将电池包中的高压直流电转换成能让电机转动的交流电，这个动作每秒要重复 10000 次以上。
在 SiC 芯片的帮助下，电动汽车的高压快充、瞬间加速成为了可能，考虑到该芯片承担的任务重且危险系数高，因此其质量成为了重中之重。但有一些 SiC 芯片内部存在着尚未被行业识别的缺陷，在身上看不见的地方存在着一些小毛病。它们看上去挺不错，能够通过下线测试，但一旦被装车使用，时间久了会有“半路撂挑子”的风险，导致严重的车辆故障。
理想汽车自研 SiC 芯片团队通过大量的流片验证和测试分析，并基于 30 万颗自研 SiC 芯片的测试数据，将芯片扛电压的本领（击穿电压）和每颗芯片对应的碳化硅材料特性以及流片过程数据结合在一起进行综合分析，最终在击穿电压离群芯片中找出了这类芯片。
官方表示，理想汽车《Analysis on BVDSS Outlier Chips and Screening Technology for 1.2 kV Automotive SiC MOSFETs》论文不仅展示了芯片是怎样失效的，为什么会失效，还揭晓了“CT 机”怎么制造，从而可以具备透视能力，将这类问题芯片挑出来。文章最后，还开出了从根本上解决问题的办法 —— 从碳化硅晶体生长工艺着手。这些对整体提升产业内 SiC 芯片的可靠性表现具有重要意义。
(来源：新浪科技)
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