美国向三星电子提供64亿美元补贴
当地时间4月15日，美国政府宣布将向在得克萨斯州兴建半导体工厂的三星电子提供64亿美元补贴。韩国政府此前向美方提出“让对美进行半导体投资的韩企享受无差别对待”的要求。美国商务部称，三星是唯一一家在先进内存和先进逻辑技术方面都处于领先地位的半导体公司。三星将在接下来数年投资400亿美元，支持创造至少2.15万个就业机会。
韩联社报道，三星的泰勒首家工厂将从2026年起生产4纳米和2纳米芯片，第二工厂将从2027年起量产尖端芯片，研发工厂也将于2027年投产。美国对三星的补贴规模仅次于对英特尔（85亿美元）和台积电（66亿美元）的补贴规模。
三星将在泰勒地区建设两个领先的逻辑晶圆厂，专注于4纳米和2纳米制程芯片技术的大规模生产，一个研发晶圆厂，专注于开发和研究比目前生产的制程更先进的技术，以及一个先进的封装工厂，用于生产3D高带宽内存和2.5D封装，这两种技术都在人工智能领域具有关键应用。三星电子将向得州泰勒市投资170亿美元，扩大兴建中的半导体工厂规模和投资对象，直至2030年共投资450亿美元。这比原先计划的投资规模多出一倍以上。
同时三星将在得克萨斯州的奥斯汀扩建三星的现有设施，以支持美国航空航天、国防和汽车等关键行业的全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）工艺技术的生产。这项拟议的投资还包括与美国国防部的合作。
“我们不仅仅是在扩大生产设施；我们正在加强当地的半导体生态系统，并将美国定位为全球半导体制造目的地，”三星电子设备解决方案（DS）部门总经理兼首席执行官庆桂显（Kye Hyun Kyung）表示。“为了满足美国客户对AI芯片等未来产品的预期需求激增，我们的晶圆厂将配备尖端工艺技术，并有助于提高美国半导体供应链的安全性。”
三星在美国已有28年的建厂历史。1996年2月，三星来到得克萨斯州奥斯汀，修建了第一个芯片制造厂，工厂在1997年开始生产。2007年6月，三星的第二个芯片制造厂在奥斯汀建成，同年12月，NAND闪存技术开始生产。2013年6月，三星的美国工厂开始了28纳米芯片生产，2015年1月开始了14纳米芯片生产。
美国政府高层官员表示，三星电子将在美国进行核心研发，在得州延续半导体技术开发，通过这次投资至少可创造1.7万个建筑工作岗位，加上供应链方面的工作岗位，数量有望超过数万个。另一名美国官员表示，对三星电子提供芯片补贴是美政府旨在推动尖端半导体技术回流国内的第三项投资，与三星电子400多亿美元的投资结合，总规模将在美国外国人投资历史上留下浓重的一笔。
三星电子2022年起在泰勒市兴建的半导体工厂用地额外投建新工厂，新设封装设备和尖端研发设备，据此全面进军美国市场。此外，三星还计划申请美国财政部的投资税收抵免（Investment Tax Credit），预计这将覆盖至多25%的合格资本支出。
4月9日，美国政府表示台积电将获得不超过66亿美元的资金，用于在凤凰城在建的一座工厂综合体，并将扩大该工厂的生产范围和精密度，这是美国政府推动重振国内半导体产业的举措之一。
台积电在美国的总投资将超过650亿美元，并将在2021年开始建设的生产综合体基础上增加第三座芯片工厂。作为全球最大的合同芯片制造商，该公司还将在其中一家工厂生产目前技术最尖端的2纳米芯片。
最近数月，美国政府依芯片法案，开始陆续公布对各半导体制造公司的补贴。美国商务部表示，随着台积电等项目的实施，到2030年，美国在全球尖端芯片生产中的占比有望达到约20%。
在三星的补贴金额公布后，美国政府对台积电的补贴依旧是美国历史上最大的外国直接投资新项目。截至目前，英特尔目前仍是获得《芯片和科学法案》补贴规模最大的公司（85亿美元）。另一家晶圆代工厂格芯获得了15亿美元补贴。美国成熟制程厂商微芯科技和英国军工企业BAE Systems分别得到1.62亿美元和3500万美元的补贴。截至目前公布的芯片法案补贴为231.97亿美元。
(来源：新浪科技)
