SK海力士计划斥资近40亿美元建设其首家美国芯片厂

2024年04月04日,07时59分35秒科技新知阅读 6 views 次

财联社4月4日电，SK海力士计划斥资38.7亿美元在印第安纳州建设先进封装厂和人工智能产品研究中心。这家全球第二大存储芯片制造商表示，将在West Lafayette建立其首家美国工厂，计划于2028年下半年开始量产。该工厂将重点建设下一代高带宽存储芯片生产线，这些芯片是训练人工智能（AI）系统的图形处理器的关键组件。

作为 HBM 芯片的主要设计者和生产商，SK 海力士已逐渐成为 AI 发展大潮中的关键参与者，其生产的芯片与英伟达公司的处理器协同工作。报道称，在当地建厂的决定是在 SK 海力士宣布投资美国的计划约两年后作出的。SK 集团董事长崔泰源（Chey Tae-won）当时曾表示，该企业将拨出大约 150 亿美元（当前约 1087.5 亿元人民币），在美国建设芯片设施和加强研究项目。