持续反弹！高带宽内存早盘走强 三大原厂产能售罄
8月6日早盘，高带宽内存概念低开高走，截至早间收盘，板块上涨1.99%，涨幅居概念板块前列。个股方面，中巨芯涨超17%，联瑞新材涨近8%，华特气体涨超6%，西安奕材涨超3%，飞凯材料、兴森科技、雅克科技、晶方科技等多股涨超2%。近三个交易日，高带宽内存板块已累计反弹16.88%。
三大原厂产能售罄
消息面上，据媒体报道，三大存储半导体制造商（三星电子、SK 海力士、美光）近日提前完成 2027 年的一般 DRAM 与 HBM 分配谈判，产能已然售罄。供应情况略好的 NAND 闪存预计也将在本月内敲定明年产能配额。
报道指出，在 2026 年遭遇严重短缺后，下游业者在寻求供应上更为积极，导致原本主要出现在 HBM 上的提前预定趋势扩展到整个存储芯片领域。此外，客户无论是否选择长期协议 (LTA) 都在积极配合三大原厂的预付定金策略。
此外，三星电子开启“Z轴”时代，垂直堆叠于AI芯片的HBM要来了：当地时间8月4日，在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上，三星电子首次官宣了zHBM和zNAND-O两款概念产品。
图片来源：三星电子
根据三星电子首席技术官宋载赫的定义，产品名中“z”的含义是Z轴，象征着将HBM或NAND沿着垂直方向堆叠。其中，zHBM将高带宽内存直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上，性能预计约为下一代HBM5的8倍。
东吴证券认为，AI算力爆发正驱动存储芯片进入超级景气周期，HBM供不应求将推动Server DRAM合约价持续上涨至2027年，同时3D DRAM商业化在2026—2027年迎来放量，端侧AI大模型激发了对高带宽低成本存储的新需求。国产存储崛起也加速了技术迭代，长鑫存储的上市将推动DRAM产能扩张，带动产业链价值提升。
需求4年或增15倍
东吴证券最新测算显示，全球HBM wafer需求将从2024年的2.9万片/月激增至2028年的44.2万片/月，四年增长超15倍，年均复合增速超90%。
AI算力需求对存储产能的挤出效应正从产业链上游向下游全面传导——苹果6月上调MacBook与iPad售价，低端机型内存成本占比从15%飙升至40%。存储涨价已开始反噬终端需求，迫使全球存储龙头加速扩产，三星、SK海力士2030年前DRAM产能目标分别翻倍至135万片/月与100万片/月。
A股方面，高带宽内存板块此前经历了深度调整，交易拥挤度已大幅缓解。据东方财富Choice数据，自7月初至今，高带宽内存板块日均成交额已从上月的1011.38亿元降至本月的720.98亿元，降幅近30%；融资余额已从上月初的542.44亿元降至436.11亿元，降幅近20%。
高带宽内存28只成分股7月至今均大幅调整，涨跌幅中位数为-35.49%。其中，西安奕材跌幅最大，累计跌超51%；香农芯创、华海诚科、赛腾股份、联瑞新材、华特气体、飞凯材料、炬光科技、晶方科技等跌幅居前，累计跌幅均跌超40%。
(来源:天天基金网)
