三星在英伟达 GTC 大会上首次展示下一代 AI 芯片 HBM4E

2026年03月17日,06时10分40秒美国动态阅读 3 views 次

三星电子在英伟达 GTC 大会上首次展示了这款芯片，突显了其成为英伟达即将推出的 Vera Rubin 平台关键合作伙伴的努力。三星还展示了 Hybrid Copper Bonding（混合铜键合），这是一种旨在克服传统热压键合物理限制的新封装技术。HCB 技术可让新一代高带宽存储器（HBM）实现16 层及以上堆叠，同时将热阻降低20% 以上。其他为英伟达 AI 基础设施打造的前沿技术还包括HBM4与SOCAMM2，目前这两款产品均已量产。

责任编辑：王永生