英伟达发布800 VDC架构，氮化镓龙头英诺赛科或成最大赢家

2025年10月14日,10时51分06秒科技新知阅读 9 views 次

【美国加州圣何塞2025年10月13日，西部时间上午10点】在今日开幕的OCP Global Summit 2025上，英伟达（NVIDIA）正式发布了面向未来AI数据中心的800V高压直流（800 VDC）电源架构，并同步发表题为《800 VDC Architecture for Next-Generation AI Infrastructure》的白皮书，揭示其“AI Factory（人工智能工厂）”愿景。

英伟达创始人黄仁勋指出，AI Factory将成为继电力与互联网之后的“第三次基础设施革命”——在这个新时代，算力将像电力一样被生成、输送和消耗，成为推动全球经济与产业智能化的核心能源。

图1：英伟达从415伏交流（上）到800伏直流（下）的配电架构演进https://developer.nvidia.com/blog/building-the-800-vdc-ecosystem-for-efficient-scalable-ai-factories/

英伟达在最新的Vera Rubin GPU平台与Kyber系统架构中将首次采用800 VDC供电体系，使单机柜功率从传统的200 kW跃升至1 MW，为“千兆瓦级AI工厂（Gigawatt AI Factories）”提供能源基础。相较传统54 V架构，800 VDC让电流降低15倍以上，铜损显著减少，布线更轻、更高效。

根据英伟达发布的白皮书，在未来兆瓦级AI系统中，传统硅器件的效率与热管理已接近极限。要在有限空间内实现更高算力密度与更低能耗，就必须采用能够在高电压、高频率下运行的新型功率器件。氮化镓（GaN）因此成为800 VDC架构中不可或缺的关键技术，也是此次800 VDC架构解决方案的核心。氮化镓能在超高频率（高达1-10MHz）下保持低损耗运行，整体系统能效提升10–13%，功率密度提升50%以上。这意味着在相同机柜体积内可容纳更多算力，而能耗与散热需求却显著下降。

在英伟达的主题Keynote中，英诺赛科（Innoscience）被重点展示为800 VDC生态体系的核心合作伙伴。作为全球领先、也是唯一覆盖15 V至1200 V全电压范围量产的GaN IDM企业，英诺赛科可提供从800 V输入到1 V GPU输出的全链路GaN解决方案，并已在数据中心、电动汽车和消费电子等多个领域实现大规模应用，可以充分满足该方案的技术需求。