SK海力士将赴美，建HBM工厂？
据《华尔街日报》报道，SK 海力士计划在印第安纳州西拉斐特建造一座价值 40 亿美元的芯片封装工厂。该工厂预计于 2028 年开始运营，创造多达 1,000 个就业岗位。此举可能得到州和联邦税收减免的支持，是 SK 海力士巩固其作为非商品存储器制造商地位的努力的一部分。
对印第安纳州工厂的投资是SK海力士提高其先进芯片封装能力的战略步骤。这种先进的内存封装技术可用于构建高带宽内存，这是许多人工智能和高性能计算应用的重要组成部分。
[SK海力士]正在审查其在美国的先进芯片封装投资，但尚未做出最终决定。该公司发言人告诉《华尔街日报》。
如果该项目获得 SK 海力士的批准，先进的封装设施将于 2028 年开始运营，并将创造多达 1,000 个就业岗位。考虑到该工厂的计划成本为 40 亿美元，该工厂将成为世界上最大的先进封装设施之一。报告称，政府的支持对于这项投资至关重要，可能会提供州和联邦税收优惠。这些激励措施是加强美国半导体行业和减少对外国供应商依赖的更大努力的一部分。
SK 海力士是 Nvidia 的 HBM 内存供应商之一，该公司生产的 AI GPU 对于支持 ChatGPT 等先进 AI 服务至关重要。最近发布的Nvidia Blackwell B200每个 GPU 将使用 8 个 HBM3e 芯片。此次合作凸显了 SK 海力士在人工智能行业关键零部件供应链中的作用。
这项投资的更广泛背景凸显了美国政府利用《芯片和科学法案》等举措来提高国内芯片制造能力的努力。该法案最近向英特尔提供了 85 亿美元的政府直接资金，有助于增强美国半导体行业的竞争力，特别是在与中国的竞争和贸易战日益激烈的情况下。SK海力士计划在印第安纳州设立的工厂是在此背景下的一项重大发展，有助于美国半导体行业的增长和恢复力。
政府对国内各种芯片制造和封装项目的资助有点迟缓，因此目前的情况更多地代表了意向声明，而不是最终协议。是否会进入建设阶段还有待观察。
SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-Jung 周三表示，预计到 2024 年，用于 AI 芯片组的高带宽内存 (HBM) 芯片将占其 DRAM 芯片销售额的两位数百分比。
本月，这家全球第二大内存芯片制造商开始大规模生产下一代先进 HBM 芯片，消息人士称首批出货量将交付给 Nvidia。
HBM 芯片是先进的存储芯片，在 Nvidia 和其他在生成人工智能中处理大量数据的图形处理单元 (GPU) 中需求量很大。
SK 海力士凭借成为 Nvidia 目前使用的 HBM3 版本的唯一供应商，引领了 HBM 芯片市场，Nvidia 占据了 80% 的 AI 芯片市场。
分析师估计，今年 HBM 芯片占全行业 DRAM 销售额的比例将从 2023 年的 8% 攀升至 15%。
此外，由于市场预期动态随机存取存储器（DRAM）市场好转以及高带宽存储器半导体（HBM）市场加速增长，三星电子和SK海力士的股票因国外需求强劲而上涨。
周二，三星电子股价上涨 2.17%，至 79,900 韩元（60 美元），该股当天两年多来首次突破 80,000 韩元大关。SK海力士股价也创下176,600韩元的新高，较前一交易日上涨4.25%。
周二，外国投资者净购买了价值2583亿韩元的三星电子股票和605亿韩元的SK海力士股票。
国内外券商最近上调了两家芯片制造商 2024 年第一季度的盈利预测。
摩根士丹利周二表示，预计第二季度 DRAM 价格将上涨 20%，NAND 芯片价格将上涨 10% 至 10%。15%。预计SK海力士将在HBM市场保持主导地位，到2024年市场份额将超过90%。它将SK海力士的目标价格上调至23万韩元，三星电子的目标价格上调至9.7万韩元。
韩国投资证券公司和新永证券公司等韩国证券公司预计，由于 DRAM 需求可能复苏以及 2025 年服务器更换周期即将到来，三星电子股价进一步上涨的潜力更大。
(来源：新浪科技)
