集微网消息，10月23日，在第八届上海FD-SOI论坛上，ST微控制器和数字IC事业部副总裁Philippe Magarshack以“FD-SOI的应用前景为题”发表演讲。

Philippe Magarshack指出，ST从2010年便开始进行FD-SOI技术的开发，除自主技术开发外，ST也和合作伙伴一起充分进行相关合作，以进行更好的投资和联合开发技术产品。

Philippe Magarshack表示，通过与合作伙伴共同开发，ST更好地实现了CMOS晶体管性能提升，同时拥有更低的成本、更低的功耗。2013年1月，ST推出了第一款FD-SOI产品，并随即进行了大量的晶圆厂投资从而推动工艺改善，包括12英寸以及不同晶圆尺寸的投资，提高FD-SOI产能。

Philippe Magarshack强调，FD-SOI的一个优点就是可以使用正向体偏置（FBB）提高性能，ST目前正在生产28nm 的FD-SOI技术，与28nm BULK工艺相比其可以实现15%的功耗降低。

ST官网资料显示，关于Bulk与FD-SOI工艺的对比，FD-SOI通过构造实现了比传统bulk技术更好的晶体管静电特性。掩埋式氧化物层降低了源极和漏极之间的寄生电容，并且有效地限制了从源极流向漏极的电子，显著降低性能下降的漏电流。

在bulk技术中，由于寄生电流泄漏和晶体管几何尺寸缩减会降低效率，体偏置非常有限。依靠FD-SOI中的晶体管结构及其超薄绝缘体层，偏置效率得到了显著的提升。此外，掩埋式氧化物的存在使偏置电压得以进一步增强，从而形成了对晶体管的突破性动态控制。

当基板的极化为正时，即正向体偏置 (FBB)，此时可以加快晶体管的切换速度。由此提供了一种能够优化性能和功耗的强大技术。易于实现的FBB可在晶体管操作期间动态调制，为设计者带来极大的灵活性，从而能在需要时更快地设计电路，并在性能要求较低的场景中实现节能。

下一步，ST将推出新的18nm FD-SOI工艺，Philippe Magarshack预计这项工艺将在汽车芯片行业大展拳脚。此外，在移动网络方面，相关研究表明，FD-SOI技术将能够满足未来6G应用中高达60~200千兆赫的高频需求，并提供更出色的噪声系数。

ST在FD-SOI官方介绍中，明确指出了该技术在模拟设计、功率效率、辐射抗扰度以及存储器性能等方面表现出的高效表现。

最后，Philippe Magarshack在谈及对中国市场的承诺时指出，ST在过去10年当中深耕中国市场，专注于为中国市场提供MCU、电源和ASIC芯片等。今年早些时候，ST还与三安光电携手在重庆共建一个碳化硅合资工厂。

(来源：新浪科技)